Thématique "Composants de l’électronique de puissance"

27 articles dans cette thématique :

• Baazizi yasmine ¹, Ferreira lauro ², Meunier simon ², Phulpin tanguy ², Quéval loïc ³.
  "Étude des variations des caractéristiques I-V des diodes de puissance à températures cryogéniques : Influence du boîtier"
  1 - Laboratoire de génie électrique de Paris (GeePs) ( France), 2 - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris (11, rue Joliot CuriePlateau de Moulon91192 Gif sur Yvette France), 3 - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP3 PDF
• Bidaud adrien ^1,1, Okada etienne ¹, Ziouche katir ¹, Medjdoub f ¹, Ben-Hammou lyes ¹.
  "Implementation of a back barrier to boost the blocking voltage of GaN HEMT on sapphire"
  1 - WIde baNd gap materials and Devices - IEMN ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP1 PDF
• Ferrandis philippe ¹.
  "AlGaN channel high electron mobility transistors on Si for power electronics"
  1 - Université Grenoble Alpes - Institut Néel ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP1 PDF
• Grosset Darracq rachel ¹, Masante cédric ², Isoird karine ³, Tasselli josiane ⁴, Daniel rouly ⁵, Monflier richard ⁴, Assie-Souleille sandrine ⁴.
  "Fabrication et caractérisation de diodes Schottky diamant haute tension protégées par plaque de champ avec empilement Al2O3 /Si3N4"
  1 - CEA-Leti et LAAS-CNRS ( France), 2 - CEA-LETI ( France), 3 - LAAS-CNRS, Université de Toulouse (7 Av. du Colonel Roche, 31400 Toulouse France), 4 - LAAS CNRS ( France), 5 - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie (7, avenue du Colonel Roche BP 54200 31031 Toulouse cedex 4 France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SO1-A PDF
• Guillot laurent ¹.
  "Comment la standardisation accélère le déploiement des nouveaux matériaux semiconducteurs SiC et GaN en Génie Electrique"
  1 - STMicroelectronics France SAS ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP1 PDF
• Kassem hussein ¹, Pernot julien ¹, Eon david ².
  "Optimisation et caractérisation des diodes Schottky en diamant intégrant une fine couche dopée à l'azote"
  1 - Institut Néel ( France), 2 - Institut Néel ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP3 PDF
• Laïb yanis ¹, Berger kevin ¹, Raël stéphane ¹, Lévêque jean ¹.
  "Caractérisation à température cryogénique d'un MOSFET de puissance par la méthode du Double Pulse"
  1 - Groupe de Recherche en Energie Electrique de Nancy ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP3 PDF
• Le Lesle johan ¹, Lefèvre guillaume ¹, Siedel samuel ².
  "3-Φ Coupled Inductors Design and Characterisation with Calorimetric Apparatus"
  1 - Mitsubishi Electric R&D Centre Europe [France] ( France), 2 - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP3 PDF
• Lu changzi ^1,2, Brosselard pierre ¹, Bluet jean-Marie ².
  "Optimisation de la technologie Ga2O3 pour la réalisation d'une diode Schottky de puissance"
  1 - Laboratoire Ampère ( France), 2 - Institut des Nanotechnologies de Lyon ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP1 PDF
• Martire thierry ^1,2, Pellecuer guillaume ³, Talbert thierry ⁴, Matt daniel ^3,5, Merrouche abdennour ^1,6, El Hachimi yassir ³.
  "Composants magnétiques pour un Dual Active Bridge triphasé (DAB3)"
  1 - Institut d'Electronique et des Systèmes (860, rue Saint Priest, Bâtiment 5 - CC 05001 -34095 Montpellier Cedex 5 France), 2 - Génie électrique, Matériaux et Systèmes ( France), 3 - Institut d'Electronique et des Systèmes ( France), 4 - Laboratoire Procédés, Matériaux et Energie Solaire (7 rue du Four Solaire Centre Felix Trombe 66120 Odeillo Font-Romeu France), 5 - GEMS - Génie Electrique Matériaux et Systèmes ( France), 6 - Procédés, Matériaux et Energie Solaire (7 rue du Four Solaire Centre Felix Trombe 66120 Odeillo Font-RomeuTecnosud Rambla de la thermodynamique 66100 Perpignan France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP3 PDF
• Michez damien ^1,2, Letellier juliette ², Pernot julien ³, Rouger nicolas ⁴.
  "Transistor à effet de champ interdigité en diamant : augmentation du calibre en courant"
  1 - Convertisseurs Statiques ( France), 2 - Diamfab ( France), 3 - Institut Néel ( France), 4 - Convertisseurs Statiques ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SO1-A PDF
• Morand julien ¹.
  "Estimateur de temperature pour convertisseur à commuation rapide"
  1 - Mitsubishi Electric R&D Centre Europe ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP3 PDF
• Moreau lucas ¹, Orsatelli marc ¹, Marcault emmanuel ¹, Chabot cyril ¹, Gavelle mathieu ¹, Gutierrez Galeano alonso ¹, Rustichelli valeria ², Matmat mohamed ², Guillot laurent ³.
  "Etude de la stabilité de la résistance à l'état passant RDSON sur des composants GaN en fonctionnement"
  1 - CEA Tech Occitanie ( France), 2 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique ( France), 3 - STMicroelectronics France SAS ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP1 PDF
• Nachete idriss ^1,2,3, Margueron xavier ², Gillon frédéric ⁴, Lefèvre guillaume ¹.
  "Modélisation semi-analytique des pertes cuivres d'une inductance planar"
  1 - Mitsubishi Electric R&D Centre Europe [France] ( France), 2 - L2EP - Équipe Électronique de puissance ( France), 3 - L2EP - Équipe Outils et Méthodes Numériques ( France), 4 - L2EP - Équipe Outils et Méthodes Numériques (OMN) ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP3 PDF
• Planson dominique ¹.
  "Mesures µ-OBIC sur diode bipolaire Diamant : une première !"
  1 - Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (20 Avenue Albert Einstein, 69621 Villeurbanne cedex France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP1 PDF
• Razafimanjaka harold ¹, Trémouilles david ², Rustichelli valeria ³, Alam maroun ³, Bourennane abdelhakim ⁴.
  "Mécanismes physiques de HEMT GaN révelés par l'instabilité de la tension de seuil"
  1 - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie ( France), 2 - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie ( France), 3 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique ( France), 4 - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (7 Av du colonel Roche 31077 TOULOUSE CEDEX 4 France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP3 PDF
• Rouger nicolas ¹, Blaquiere jean-Marc ¹, Makhoul ralph ¹, Risaletto damien ¹.
  "Vers la caractérisation en commutation de transistors diamant à effet de champ de type p"
  1 - Convertisseurs Statiques ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP3 PDF
• Rouly daniel ¹, Tasselli josiane ¹, Austin patrick ¹, Morancho frédéric ¹, Isoird karine ^1,2, Cordier yvon ³.
  "Dopage par épitaxie localisée de nanostructures pour les dispositifs de puissance en GaN"
  1 - LAAS-CNRS, Université de Toulouse, CNRS, UPS ( France), 2 - LAAS ( France), 3 - Centre de Recherche sur l'HétéroEpitaxie et ses Applications (Rue Bernard Grégory, 06560 Valbonne France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP1 PDF
• Scharnholz sigo ¹, Kotra kamil ², Zuvic milan ², Hassdorf ralf ².
  "Réalisation de thyristors SiC 5×5 mm² avec une JTE simple gravée"
  1 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis (5 rue du Général Cassagnou, BP 70034, 68301 Saint Louis Cedex France), 2 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SO1-A PDF
• Sevely florent ¹, Grosset Darracq rachel ^1,2, Isoird karine ¹, Tasselli josiane ¹, Bouras mohamed ³, Gillet rémi ³, Jomard françois ³, Pinault-Thaury marie-Amandine ³, Issaoui riadh ⁴, Castillo Arvizu ken Axxel ⁴, Planson dominique ⁵, Phung luong Viêt ⁵, Sonneville camille ⁵.
  "Diode PIN verticale sur diamant (100) autosupporté à base de couches i et n dopées phosphore"
  1 - LAAS-CNRS, Université de Toulouse ( France), 2 - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information ( France), 3 - Groupe d'Etude de la Matière Condensée ( France), 4 - Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux ( France), 5 - Laboratoire Ampère ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP1 PDF
• Tran Duc hoan ¹, Cougo bernardo ², Drummond rodrigo ³, Divan Lopes Da Costa israel ^3,4, Segond gilles ⁵.
  "Modélisation et mesure de la variation de température à haute fréquence d'un transistor GaN pour les onduleurs de puissance"
  1 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique ( France), 2 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique (118 route de Narbonne, CS 44248 31432 Toulouse cedex 4 France), 3 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique ( France), 4 - PPGEE UFMG - Programme d'études supérieures en génie électrique ( Brésil), 5 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique (Bât B612, 3 rue Tarfaya,CS 34436, 31405 Toulouse Cedex 4 (France) France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP3 PDF
• Yachouti rida ¹.
  "Comparaison des performances des transistors SiC et GaN 650V pour des applications bidirectionnelles"
  1 - GREMAN-UMR7347 ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1, Session : SP3 PDF
• Dedew mohamed Lemine ^1,2, Lefebvre stéphane ^3,4, Nguyen tien Anh ⁵, Le thanh Long ⁶, Rustichelli valeria ², Alam maroun ², Oliveira joao ⁷, Coccetti fabio ⁷.
  "Niveau de saturation du courant de drain et son impact sur la robustesse des transistors GaN en régime de court-circuit répétitif"
  1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie ( France), 2 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique ( France), 3 - CNAM ( France), 4 - SATIE ( France), 5 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (4 avenue des sciences, 91190, Gif-sur-Yvette France), 6 - Safran Tech ( France), 7 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 2, Session : SO6-B PDF
• Eleuterio De Loredo francisco Emmanuel ¹, Leveque jean ¹, Raël stéphane ¹, Nguyen ngoc Duy ², Vanderheyden benoît ³.
  "Atténuation des effets de bosse induits par les pièges d'interface dans un condensateur MOS de type p"
  1 - Groupe de Recherche en Électrotechnique et Electronique de Nancy (GREEN) ( France), 2 - SPIN lab - Université de Liège ( Belgique), 3 - Electronics Research Group - Institut Montefiore ( Belgique)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 2, Session : SO6-B PDF
• Orsatelli marc ¹, Chabot cyril ², Gutierrez Galeano alonso ¹, Marcault emmanuel ², Gavelle mathieu ².
  "Présentation d'une méthodologie d'évaluation de la stabilité de la grille de transistors de puissance Grands Gaps en fonctionnement en fréquence"
  1 - CEA Occitanie ( France), 2 - CEA Occitanie ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 2, Session : SO6-B PDF
• Roche ludovic ^1,2, Trémouilles david ¹, Marcault emmanuel ², Alonso corinne ¹.
  "Méthodologie innovante pour la caractérisation dynamique, reproductible et sans parasite de composants p-GaN HEMTs mise en évidence d'effets exclusivement dynamiques"
  1 - LAAS-CNRS ( France), 2 - CEA Occitanie ( France)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 2, Session : SO6-B PDF
• Teixeira alice ¹, Cougo bernardo ², Morais lenin ³, Andrade marco ².
  "Cyclage de puissance à haute fréquence des onduleurs triphasés pour les applications aéronautiques"
  1 - Graduate Program in Electrical Engineering Universidade Federal de Minas Gerais ( Brésil), 2 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique ( France), 3 - Department of Electronic Engineering, Federal University of Minas (UFMG), Brésil (Av. Antônio Carlos, 6627, Pampulha - Belo Horizonte - MG - CEP 31270-901 BRAZIL Brésil)
  Thématique : Composants de l’électronique de puissance 2, Session : SO6-B PDF