Dopage par épitaxie localisée de nanostructures pour les dispositifs de puissance en GaN

Auteurs : Rouly daniel ¹, Tasselli josiane ¹, Austin patrick ¹, Morancho frédéric ¹, Isoird karine ^1,2, Cordier yvon ³

Affiliations : 1 - LAAS-CNRS, Université de Toulouse, CNRS, UPS ( France), 2 - LAAS ( France), 3 - Centre de Recherche sur l'HétéroEpitaxie et ses Applications (Rue Bernard Grégory, 06560 Valbonne France)

Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1
Session : SP1 "Session Poster 1"