Article PDF
Méthodologie innovante pour la caractérisation dynamique, reproductible et sans parasite de composants p-GaN HEMTs mise en évidence d'effets exclusivement dynamiques
Auteurs :
Affiliations : 1 - LAAS-CNRS ( France), 2 - CEA Occitanie ( France)
Thématique :
Composants de l’électronique de puissance 2
Session :
SO6-B "Composants de l’électronique de puissance 2"
Résumé
Des p-GaN HEMTs à grille schottky sont étudiés en fonctionnement dynamique, sans parasites, grâce à un environnement de test 50 Ohms spécialement conçu. Des phénomènes dynamiques exclusifs sont mis en évidence, notamment une phase de transition des énergies de commutation et une montée drastique du Ron, allant jusqu'à cinquante fois sa valeur nominale en présence de surtensions transitoires de grille. Ce phénomène est structurel, causé par la grille schottky. Contrairement au comportement observé en mesures quasi-statiques, les résultats sont reproductibles sans préconditionnement.