Résumé

Le comportement d'un condensateur MOS SiOx/Si de type-p est étudié dans des conditions cryogéniques, en mettant en évidence l'impact des pièges d'interface sur ses caractéristiques C-V. À des températures cryogéniques, un effet de bosseapparaît dans la région de déplétion, lié à la dynamique lente de capture/émission des électrons par les pièges. L'étude met enévidence un effet de mémoire associé à l'historique thermique et de tension, ainsi qu'un hystérésis et une dispersion de la capacité dans la région d'accumulation. En appliquant une tension pendant le processus de refroidissement, il est possible de manipuler la tension de bande plate, offrant ainsi une stratégie pour réduire l'effet de bosse et améliorer les performances.