Résumé

Le développement des technologies cryogéniques dans l'aéronautique permet d'améliorer l'efficacité des systèmes embarqués, notamment dans le cadre de la propulsion électrique. Cependant, la caractérisation des composants électroniques de puissance à des températures cryogéniques reste peu documentée. Cette étude vise à explorer le comportement dynamique et les pertes par commutation des MOSFET de puissance dans la plage de 10 K à 300 K.Un banc expérimental a été conçu, comprenant une cellule de commutation avec un MOSFET au Silicium (Si) placée sur la plaque froide d'un cryocooler.La mesure en double pulse a été employée pour évaluer les pertes par commutation, mais plusieurs défis sont imposés par l'environnement cryogénique, comme les effets des inductances dus aux longs fils nécessaires pour atteindre les températures les plus basses ou le gel des condensateurs à basse température. Des solutions ont été mises en œuvre, notamment l'utilisation d'un transformateur de courant adapté aux températures cryogéniques. Les résultats montrent une variation notable du comportement et des pertes du composant à l'ouverture et la fermeture en fonction de la température. Nous souhaitons que ces travaux permettent de mieux comprendre et d'optimiser les performances des MOSFET de puissance pour des applications cryogéniques.