Étude des variations des caractéristiques I-V des diodes de puissance à températures cryogéniques : Influence du boîtier

Auteurs : Baazizi yasmine ¹, Ferreira lauro ², Meunier simon ², Phulpin tanguy ², Quéval loïc ³

Affiliations : 1 - Laboratoire de génie électrique de Paris (GeePs) ( France), 2 - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris (11, rue Joliot CuriePlateau de Moulon91192 Gif sur Yvette France), 3 - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris ( France)

Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1
Session : SP3 "Session Poster 3"