Résumé

Cet article étudie le comportement thermique de puces SiC dans les onduleurs triphasés, en se concentrant sur la modélisation thermique et les cycles de puissance. Un modèle thermique de type FOSTER a été développé à partir de la courbe d'élévation de la température de la puce SiC, mesurée à l'aide d'une caméra thermique haute vitesse, et validée dans le cadre d'un fonctionnement réaliste de l'onduleur. Pour la première fois dans la littérature, des cycles thermiques de l'ordre de 25K à 50Hz ont été mesurés dans des puces SiC utilisées dans un module de puissance pour une application onduleur. Cette variation de température relativement haute, et à haute fréquence, pourrait réduire la durée de vie du module SiC de façon significative. L'amplitude de ces cycles thermiques ont été investigués et nous montrons expérimentalement comment elle change avec différents paramètres de l'onduleur. Ces résultats valident le modèle thermique et le modèle de pertes développés pour les puces SiC dans un module de puissance.