Session "Composants de l’électronique de puissance 1" (SO1-A)
mardi 01 juillet 2025,
11h00 — 12h00,
Salle Guillaumet 1
session orale
Président(e)s : Karine Isoird, Dominique Planson
3 articles dans cette session :
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"Réalisation de thyristors SiC 5×5 mm² avec une JTE simple gravée"
1 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis (5 rue du Général Cassagnou, BP 70034, 68301 Saint Louis Cedex France), 2 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis ( France)
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"Transistor à effet de champ interdigité en diamant : augmentation du calibre en courant"
1 - Convertisseurs Statiques ( France), 2 - Diamfab ( France), 3 - Institut Néel ( France), 4 - Convertisseurs Statiques ( France)
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"Fabrication et caractérisation de diodes Schottky diamant haute tension protégées par plaque de champ avec empilement Al2O3 /Si3N4"
1 - CEA-Leti et LAAS-CNRS ( France), 2 - CEA-LETI ( France), 3 - LAAS-CNRS, Université de Toulouse (7 Av. du Colonel Roche, 31400 Toulouse France), 4 - LAAS CNRS ( France), 5 - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie (7, avenue du Colonel Roche BP 54200 31031 Toulouse cedex 4 France)
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