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Réalisation de thyristors SiC 5×5 mm² avec une JTE simple gravée
Auteurs :
Affiliations : 1 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis (5 rue du Général Cassagnou, BP 70034, 68301 Saint Louis Cedex France), 2 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis ( France)
Thématique :
Composants de l’électronique de puissance 1
Session :
SO1-A "Composants de l’électronique de puissance 1"
Résumé
Cette contribution présente les résultats d'une étude visant à la fabrication de deux wafers SiC contenant des thyristors de type SCR d'une taille de 5×5 mm2 . La comparaison entre simulations TCAD et caractéristiques I(V) permet une évaluation de l'épaisseur de la terminaison JTE simple gravée. En particulier, il apparait important de prendre en considération l'anisotropie du substrat SiC 4H dans les simulations. De plus, les caractéristiques à l'état passant révèlent les différences entre les paramètres d'épitaxie des deux wafers à l'étude.