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Fabrication et caractérisation de diodes Schottky diamant haute tension protégées par plaque de champ avec empilement Al2O3 /Si3N4
Auteurs :
Affiliations : 1 - CEA-Leti et LAAS-CNRS ( France), 2 - CEA-LETI ( France), 3 - LAAS-CNRS, Université de Toulouse (7 Av. du Colonel Roche, 31400 Toulouse France), 4 - LAAS CNRS ( France), 5 - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie (7, avenue du Colonel Roche BP 54200 31031 Toulouse cedex 4 France)
Thématique :
Composants de l’électronique de puissance 1
Session :
SO1-A "Composants de l’électronique de puissance 1"
Résumé
Dans le cadre du projet FrenchDiam, cette étude a pour but de proposer une protection périphérique par plaque de champ (Field Plate, FP) appliquée à la diode Schottky diamant de type P. Le diélectrique de la FP comporte un empilement Al₂O₃/Si₃N₄, deux matériaux à forte permittivité sélectionnés pour augmenter la tenue en tension de la diode. Les performances de l'empilement Al₂O₃/Si₃N₄ ont d'abord été évaluées par mesures C-V sur Silicium. Suite à la fabrication en salle blanche, des caractérisations électriques ont été réalisées afin d'étudier le comportement des diodes sous polarisation directe et inverse.