Session "Composants de l’électronique de puissance 2" (SO6-B)
jeudi 03 juillet 2025,
09h00 — 10h40,
Auditorium St. Exupéry
session orale
Président(e)s : Nathalie Batut, Gaetan Toulon
5 articles dans cette session :
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"Atténuation des effets de bosse induits par les pièges d'interface dans un condensateur MOS de type p"
1 - Groupe de Recherche en Électrotechnique et Electronique de Nancy (GREEN) ( France), 2 - SPIN lab - Université de Liège ( Belgique), 3 - Electronics Research Group - Institut Montefiore ( Belgique)
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"Présentation d'une méthodologie d'évaluation de la stabilité de la grille de transistors de puissance Grands Gaps en fonctionnement en fréquence"
1 - CEA Occitanie ( France), 2 - CEA Occitanie ( France)
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"Méthodologie innovante pour la caractérisation dynamique, reproductible et sans parasite de composants p-GaN HEMTs mise en évidence d'effets exclusivement dynamiques"
1 - LAAS-CNRS ( France), 2 - CEA Occitanie ( France)
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"Niveau de saturation du courant de drain et son impact sur la robustesse des transistors GaN en régime de court-circuit répétitif"
1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie ( France), 2 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique ( France), 3 - CNAM ( France), 4 - SATIE ( France), 5 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (4 avenue des sciences, 91190, Gif-sur-Yvette France), 6 - Safran Tech ( France), 7 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique ( France)
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"Cyclage de puissance à haute fréquence des onduleurs triphasés pour les applications aéronautiques"
1 - Graduate Program in Electrical Engineering Universidade Federal de Minas Gerais ( Brésil), 2 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique ( France), 3 - Department of Electronic Engineering, Federal University of Minas (UFMG), Brésil (Av. Antônio Carlos, 6627, Pampulha - Belo Horizonte - MG - CEP 31270-901 BRAZIL Brésil)
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