Diode PIN verticale sur diamant (100) autosupporté à base de couches i et n dopées phosphore

Auteurs : Sevely florent ¹, Grosset Darracq rachel ^1,2, Isoird karine ¹, Tasselli josiane ¹, Bouras mohamed ³, Gillet rémi ³, Jomard françois ³, Pinault-Thaury marie-Amandine ³, Issaoui riadh ⁴, Castillo Arvizu ken Axxel ⁴, Planson dominique ⁵, Phung luong Viêt ⁵, Sonneville camille ⁵

Affiliations : 1 - LAAS-CNRS, Université de Toulouse ( France), 2 - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information ( France), 3 - Groupe d'Etude de la Matière Condensée ( France), 4 - Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux ( France), 5 - Laboratoire Ampère ( France)

Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1
Session : SP1 "Session Poster 1"