pdf icon

Article PDF

Implementation of a back barrier to boost the blocking voltage of GaN HEMT on sapphire

Auteurs : Bidaud adrien 1,1, Okada etienne 1, Ziouche katir 1, Medjdoub f 1, Ben-Hammou lyes 1

Affiliations : 1 - WIde baNd gap materials and Devices - IEMN ( France)

Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1
Session : SP1 "Session Poster 1"

Résumé

Study of the impact of the buffer and back barrier on the blocking behavior of high power HEMT on sapphire