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Comparaison des performances des transistors SiC et GaN 650V pour des applications bidirectionnelles
Auteurs :
Affiliations : 1 - GREMAN-UMR7347 ( France)
Thématique :
Composants de l’électronique de puissance 1
Session :
SP3 "Session Poster 3"
Résumé
Notre étude vise à développer une solution de connexion de batteries au réseau électrique, bidirectionnelle, à haut rendement pour des applications Smart Grid à faible puissance. Celle-ci s'appuiera sur des convertisseurs DC/DC et DC/AC bidirectionnels. Nous utiliserons, pour commencer l'outil LTspice, afin de mener une étude approfondie, sur l'impact que pourraient avoir différents transistors wide bandgap (Carbure de Silicium et Nitrure de Gallium) de 650 V, sur le rendement global. Nous évaluerons dans cet article uniquement le convertisseur bidirectionnel DC/DC en topologie Buck–Boost. L'analyse portera sur trois paramètres clés : la résistance de conduction RDSON, les temps de commutation et le comportement thermique. Cette démarche permettra de quantifier, pour chaque technologie, ses avantages et ses limitations. Nous validerons ensuite le rendement en implémentant successivement ces deux familles de transistors dans un prototype expérimental de convertisseur DC/DC et en mesurant ses performances électriques. Enfin cette approche devra être déployée dans un convertisseur DC/AC bidirectionnel afin d'évaluer le rendement global de la solution.