Résumé

Les transistors en diamant émergent, s'appuyant sur une conduction unipolaire de trous, et donc des architectures de type pFET. Cette modification implique des contraintes supplémentaires, notamment par rapport aux potentiels des sources, dans une cellule de commutation à base de pFET. Ils ont aussi la spécificité de tensions de seuil pouvant être élevées. Nous proposons ici un circuit adapté de commande rapprochée, validé sur charge capacitive, et implémenté dans une cellule de commutation modifiée avec des transistors pFET (500 V, 1 A). Une autre spécificité est le calibre en courant réduit des premiers transistors en diamant disponibles actuellement ( 300 V), n'est pas commun dans nos cartes de puissance. Un développement spécifique a été fait, afin d'être capable de piloter rapidement les transistors en diamant, tout en mesurant les faibles courants commutés mais ayant de fortes dynamiques de variations. Les cartes de commande (alimentations isolées, réglables, et commande rapprochée), ainsi que de puissance ont été validées expérimentalement. Les pertes en commutation pourront être extraites via la double impulsion et/ou la mise en opposition.