Optimisation de la technologie Ga2O3 pour la réalisation d'une diode Schottky de puissance

Auteurs : Lu changzi ^1,2, Brosselard pierre ¹, Bluet jean-Marie ²

Affiliations : 1 - Laboratoire Ampère ( France), 2 - Institut des Nanotechnologies de Lyon ( France)

Thématique : Composants de l’électronique de puissance 1
Session : SP1 "Session Poster 1"