Thématique "Composants semi-conducteurs de puissance"

12 articles dans cette thématique :

• Chihani Omar ^1,2, Théolier Loic ², Bensoussan Alain ¹, Bondue Pierre ², Deletage Jean-Yves ², Durier André ¹, Woirgard Eric ².
  "L'effet de la température et de la tension sur des vieillissements HTRB et HTGB pour des HEMTs GaN de puissance"
  1 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique (France), 2 - Laboratoire de l'Intégration, du Matériau au Système - IMS (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-11-PM PDF
• Cougo Bernardo ¹, Morais Lenin ², Riva Raphael .
  "Influence de méthodes PWM sur le cyclage thermique des semiconducteurs d'un onduleur SiC triphasé 15kVA"
  1 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique (France), 2 - Universidade Federal de Minas Gerais (Brésil)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-11-PM PDF
• Hachem Dany , Trémouilles David , Morancho Frédéric ¹, Toulon Gaetan .
  "Variation de la résistance de contact métal/semi-conducteur dans une structure HEMT GaN sous illumination UV"
  1 - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes - LAAS (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-11-PM PDF
• Hassdorf Ralf ¹, Scharnholz Sigo ¹, Bauersfeld Dirk ¹, Vergne Bertrand ¹, Phung Luong Viêt ², Planson Dominique ².
  "Towards SiC thyristors with amplifying gate design"
  1 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis - ISL (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-21-AM PDF
• Masante Cédric ¹, Driche Khaled ^2,3,1, Pham Thanh-Toan ¹, Umezawa Hitoshi ², Perez Gaetan ⁴, Pernot Julien ¹, Rouger Nicolas ⁵, Makino Toshiharu ², Eon David ¹, Chicot Gauthier ¹, Okumura Hajime ^2,6, Gheeraert Etienne ^3,1.
  "Transistors Haute Tension de type MOSFET et MESFET en diamant pour l'électronique de puissance"
  1 - Institut Néel (France), 2 - National Institute of Advanced Industrial Science and Technology - AIST (Japon), 3 - Tsukuba University of Technology (Japon), 4 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 5 - Laboratoire Plasma et Conversion d'Energie - LAPLACE (France), 6 - Tsukuba University of Technology (Japon)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-31-AM PDF
• Morancho Frédéric ¹, Chapelle Audrey , Cordier Yvon , Benmosfeta Leïla , Trémouilles David , Isoird Karine , Frayssinet éric , Spiegel Yohann , Tasselli Josiane , Austin Patrick , Hachem Dany , Haloui Chaymaa .
  "Première démonstration expérimentale d'un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée"
  1 - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes - LAAS (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-11-PM PDF
• Nguyen Tien Anh ¹, Boucenna Nidhal ¹, Labrousse Denis ¹, Chaplier Gérard ¹, Lefebvre Stéphane ¹, Azzopardi Stéphane ².
  "Etude de la fiabilité de MOSFET SiC sous des régimes extrêmes de fonctionnement répétitifs"
  1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Énergie - SATIE (France), 2 - SAFRAN TECH (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-21-AM PDF
• Pace Loris ^1,2, Defrance Nicolas ¹, Videt Arnaud ³, Idir Nadir ³, De Jaeger Jean-Claude ¹.
  "Méthode de caractérisation de transistors GaN pour la conception des convertisseurs statiques hautes fréquences"
  1 - Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - IEMN (France), 2 - Laboratoire d'Électrotechnique et d'Électronique de Puissance - L2EP (France), 3 - Laboratoire d'Électrotechnique et d'Électronique de Puissance - L2EP (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SP-J3-A PDF
• Perez Gaetan ¹, Letellier Juliette ², Maréchal Aurélien ¹, Eon David ², Chicot Gauthier ², Jeannin Pierre-Olivier ¹, Rouger Nicolas ³.
  "Diodes Schottky en Diamant : augmentation du calibre en courant et parallélisation"
  1 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 2 - Institut Néel (France), 3 - Laboratoire Plasma et Conversion d'Energie - LAPLACE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-31-AM PDF
• Scharnholz Sigo ¹, Bischoff Rainer ², Stoll Meik ², Correal Kyle ².
  "Commutateurs haute tension à base de MOSFET SiC"
  1 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis - ISL (France), 2 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis - ISL (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-21-AM PDF
• Tran Do Phuong Uyen ¹, Avenas Yvan ¹, Lefebvre Stéphane ^2,3.
  "Estimation des pertes dans les composants semi-conducteurs de puissance par méthode calorimétrique dynamique"
  1 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 2 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Énergie - SATIE (France), 3 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Énergie - SATIE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-31-AM PDF
• Zhang Teng ¹, Raynaud Christophe ¹, Planson Dominique ¹.
  "Mesure et analyse de la hauteur de barrière des contacts Schottky Mo sur SiC-4H"
  1 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SP-J3-A PDF