Session "Composants semi-conducteurs de puissance" (SO-31-AM)

jeudi 05 juillet 2018, 08h30 — 09h45, Amphi 12
session orale

Président(e)s : Jean-Paul Ferrieux (G2ELAB - Grenoble) et Damien Guibert (GREEN - Nancy)

3 articles dans cette session :

• Masante Cédric ¹, Driche Khaled ^2,3,1, Pham Thanh-Toan ¹, Umezawa Hitoshi ², Perez Gaetan ⁴, Pernot Julien ¹, Rouger Nicolas ⁵, Makino Toshiharu ², Eon David ¹, Chicot Gauthier ¹, Okumura Hajime ^2,6, Gheeraert Etienne ^3,1.
  "Transistors Haute Tension de type MOSFET et MESFET en diamant pour l'électronique de puissance"
  1 - Institut Néel (France), 2 - National Institute of Advanced Industrial Science and Technology - AIST (Japon), 3 - Tsukuba University of Technology (Japon), 4 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 5 - Laboratoire Plasma et Conversion d'Energie - LAPLACE (France), 6 - Tsukuba University of Technology (Japon)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-31-AM PDF
• Perez Gaetan ¹, Letellier Juliette ², Maréchal Aurélien ¹, Eon David ², Chicot Gauthier ², Jeannin Pierre-Olivier ¹, Rouger Nicolas ³.
  "Diodes Schottky en Diamant : augmentation du calibre en courant et parallélisation"
  1 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 2 - Institut Néel (France), 3 - Laboratoire Plasma et Conversion d'Energie - LAPLACE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-31-AM PDF
• Tran Do Phuong Uyen ¹, Avenas Yvan ¹, Lefebvre Stéphane ^2,3.
  "Estimation des pertes dans les composants semi-conducteurs de puissance par méthode calorimétrique dynamique"
  1 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 2 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Énergie - SATIE (France), 3 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Énergie - SATIE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-31-AM PDF