Etude de la fiabilité de MOSFET SiC sous des régimes extrêmes de fonctionnement répétitifs

Auteurs : Nguyen Tien Anh ¹, Boucenna Nidhal ¹, Labrousse Denis ¹, Chaplier Gérard ¹, Lefebvre Stéphane ¹, Azzopardi Stéphane ²

Affiliations : 1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Énergie - SATIE (France), 2 - SAFRAN TECH (France)

Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance
Session : SO-21-AM "Composants semi-conducteurs de puissance"