Session "Composants semi-conducteurs de puissance" (SP-J3-A)

jeudi 05 juillet 2018, 09h45 — 11h15, Hall Henri Poincaré
session poster

Président(e)s : Vincent Lanfranchi (UTC - Compiègne) et Nicolas Ginot (IETR - Nantes)

2 articles dans cette session :

• Zhang Teng ¹, Raynaud Christophe ¹, Planson Dominique ¹.
  "Mesure et analyse de la hauteur de barrière des contacts Schottky Mo sur SiC-4H"
  1 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SP-J3-A PDF
• Pace Loris ^1,2, Defrance Nicolas ¹, Videt Arnaud ³, Idir Nadir ³, De Jaeger Jean-Claude ¹.
  "Méthode de caractérisation de transistors GaN pour la conception des convertisseurs statiques hautes fréquences"
  1 - Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - IEMN (France), 2 - Laboratoire d'Électrotechnique et d'Électronique de Puissance - L2EP (France), 3 - Laboratoire d'Électrotechnique et d'Électronique de Puissance - L2EP (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SP-J3-A PDF