Session "Composants semi-conducteurs de puissance" (SO-11-PM)

mardi 03 juillet 2018, 13h30 — 15h00, Amphi 12
session orale

Président(e)s : Bernard Davat (GREEN - Nancy) et Hervé Morel (AMPERE - Lyon)

4 articles dans cette session :

• Chihani Omar ^1,2, Théolier Loic ², Bensoussan Alain ¹, Bondue Pierre ², Deletage Jean-Yves ², Durier André ¹, Woirgard Eric ².
  "L'effet de la température et de la tension sur des vieillissements HTRB et HTGB pour des HEMTs GaN de puissance"
  1 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique (France), 2 - Laboratoire de l'Intégration, du Matériau au Système - IMS (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-11-PM PDF
• Hachem Dany , Trémouilles David , Morancho Frédéric ¹, Toulon Gaetan .
  "Variation de la résistance de contact métal/semi-conducteur dans une structure HEMT GaN sous illumination UV"
  1 - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes - LAAS (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-11-PM PDF
• Morancho Frédéric ¹, Chapelle Audrey , Cordier Yvon , Benmosfeta Leïla , Trémouilles David , Isoird Karine , Frayssinet éric , Spiegel Yohann , Tasselli Josiane , Austin Patrick , Hachem Dany , Haloui Chaymaa .
  "Première démonstration expérimentale d'un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée"
  1 - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes - LAAS (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-11-PM PDF
• Cougo Bernardo ¹, Morais Lenin ², Riva Raphael .
  "Influence de méthodes PWM sur le cyclage thermique des semiconducteurs d'un onduleur SiC triphasé 15kVA"
  1 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique (France), 2 - Universidade Federal de Minas Gerais (Brésil)
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