Towards SiC thyristors with amplifying gate design

Auteurs : Hassdorf Ralf ¹, Scharnholz Sigo ¹, Bauersfeld Dirk ¹, Vergne Bertrand ¹, Phung Luong Viêt ², Planson Dominique ²

Affiliations : 1 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis - ISL (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France)

Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance
Session : SO-21-AM "Composants semi-conducteurs de puissance"