Mesure et analyse de la hauteur de barrière des contacts Schottky Mo sur SiC-4H

Auteurs : Zhang Teng ¹, Raynaud Christophe ¹, Planson Dominique ¹

Affiliations : 1 - Laboratoire AMPERE (France)

Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance
Session : SP-J3-A "Composants semi-conducteurs de puissance"