Méthode de caractérisation de transistors GaN pour la conception des convertisseurs statiques hautes fréquences

Auteurs : Pace Loris ^1,2, Defrance Nicolas ¹, Videt Arnaud ³, Idir Nadir ³, De Jaeger Jean-Claude ¹

Affiliations : 1 - Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - IEMN (France), 2 - Laboratoire d'Électrotechnique et d'Électronique de Puissance - L2EP (France), 3 - Laboratoire d'Électrotechnique et d'Électronique de Puissance - L2EP (France)

Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance
Session : SP-J3-A "Composants semi-conducteurs de puissance"