Session "Composants semi-conducteurs de puissance" (SO-21-AM)

mercredi 04 juillet 2018, 09h30 — 10h45, Amphi 12
session orale

Président(e)s : Stéphane Lefebvre (SATIE - Cachan) et Stéphane Azzopardi (SAFRAN - Paris)

3 articles dans cette session :

• Hassdorf Ralf ¹, Scharnholz Sigo ¹, Bauersfeld Dirk ¹, Vergne Bertrand ¹, Phung Luong Viêt ², Planson Dominique ².
  "Towards SiC thyristors with amplifying gate design"
  1 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis - ISL (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-21-AM PDF
• Nguyen Tien Anh ¹, Boucenna Nidhal ¹, Labrousse Denis ¹, Chaplier Gérard ¹, Lefebvre Stéphane ¹, Azzopardi Stéphane ².
  "Etude de la fiabilité de MOSFET SiC sous des régimes extrêmes de fonctionnement répétitifs"
  1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Énergie - SATIE (France), 2 - SAFRAN TECH (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-21-AM PDF
• Scharnholz Sigo ¹, Bischoff Rainer ², Stoll Meik ², Correal Kyle ².
  "Commutateurs haute tension à base de MOSFET SiC"
  1 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis - ISL (France), 2 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis - ISL (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-21-AM PDF