Première démonstration expérimentale d'un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée

Auteurs : Morancho Frédéric ¹, Chapelle Audrey , Cordier Yvon , Benmosfeta Leïla , Trémouilles David , Isoird Karine , Frayssinet éric , Spiegel Yohann , Tasselli Josiane , Austin Patrick , Hachem Dany , Haloui Chaymaa

Affiliations : 1 - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes - LAAS (France)

Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance
Session : SO-11-PM "Composants semi-conducteurs de puissance"