Transistors Haute Tension de type MOSFET et MESFET en diamant pour l'électronique de puissance

Auteurs : Masante Cédric ¹, Driche Khaled ^2,3,1, Pham Thanh-Toan ¹, Umezawa Hitoshi ², Perez Gaetan ⁴, Pernot Julien ¹, Rouger Nicolas ⁵, Makino Toshiharu ², Eon David ¹, Chicot Gauthier ¹, Okumura Hajime ^2,6, Gheeraert Etienne ^3,1

Affiliations : 1 - Institut Néel (France), 2 - National Institute of Advanced Industrial Science and Technology - AIST (Japon), 3 - Tsukuba University of Technology (Japon), 4 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 5 - Laboratoire Plasma et Conversion d'Energie - LAPLACE (France), 6 - Tsukuba University of Technology (Japon)

Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance
Session : SO-31-AM "Composants semi-conducteurs de puissance"