L'effet de la température et de la tension sur des vieillissements HTRB et HTGB pour des HEMTs GaN de puissance

Auteurs : Chihani Omar ^1,2, Théolier Loic ², Bensoussan Alain ¹, Bondue Pierre ², Deletage Jean-Yves ², Durier André ¹, Woirgard Eric ²

Affiliations : 1 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique (France), 2 - Laboratoire de l'Intégration, du Matériau au Système - IMS (France)

Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance
Session : SO-11-PM "Composants semi-conducteurs de puissance"