Thématique "Composants semi-conducteurs de puissance"

16 articles dans cette thématique :

• Am Sokchea ¹, Lefranc Pierre ¹, Frey David¹, Hanna Rachelle ¹.
  "Design and optimization of IGBT gate drivers for high insulation voltage up to 30kV"
  1 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SP-1B PDF
• Aviño Salvado Oriol ¹, Cheng Chen ^1,2, Buttay Cyril ¹, Morel Hervé ¹, Labrousse Denis ², Lefebvre Stéphane ², Ali Marwan³.
  "Analyse de la robustesse des MOSFET SiC pour les applications "Diode-less""
  1 - Laboratoire AMPERE (France), 2 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie - SATIE (France), 3 - Safran-Tech (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-5A PDF
• Choucoutou Beverley ^1,2, Phung Luong Viet ², Brosselard Pierre³, Mermet-Guyennet Michel ¹, Planson Dominique ².
  "Étude en simulation et conception d'un transistor bipolaire (BJT) 10 kV en 4H-SiC"
  1 - ITE Supergrid Institute (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France), 3 - CALY Technologies (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SP-1B PDF
• Cussac Philippe ¹, Duchesne Cyrille¹, Fonder Jean Baptiste², Tournier Dominique², Brosselard Pierre³, Grosset Gregory⁴, Dupuy Lionel⁴.
  "FilSiC - De l'épitaxie au module de puissance"
  1 - CIRTEM (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France), 3 - CALY Technologies (France), 4 - Ion Beam Services - IBS (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-2A PDF
• Dadanema Gnimdu ¹, Costa François¹, Schanen Jean-Luc², Vollaire Christian³, Avenas Yvan².
  "Modèle analytique d'estimation des pertes dans une cellule de commutation MOSFET-diode Schottky SiC en vue de la conception et de l'optimisation d'un dissipateur thermique"
  1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie - SATIE (France), 2 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 3 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SP-1B PDF
• Dang Dinh-Lam ¹, Guichard Sophie ¹, Urbain Matthieu ¹, Raël Stéphane ¹.
  "Characterization and modeling of 1200V - 100A N - channel 4H-SiC MOSFET"
  1 - Groupe de Recherche en Electrotechnique et Electronique de Nancy - GREEN (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SP-1B PDF
• Eon David¹, Pernot Julien ¹, Traoré Aboulaye ², Gheeraert Etienne ¹, Rouger Nicolas³.
  "La diode Schottky en diamant : le présent et le futur"
  1 - Institut Néel (France), 2 - Advanced Power Electronics Research Center - AIST, Tsukuba (Japon), 3 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-2A PDF
• Marcault Emmanuel ^1,2, Tremouilles David², Toulon Gaetan ^1,2, Isoird Karine ², Morancho Frédéric ², Gavelle Mathieu ¹.
  "Mesure de résistance dynamique de HEMT en GaN à l'échelle de la centaine de nanosecondes"
  1 - CEA Tech Midi-Pyrénées (France), 2 - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes - LAAS (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-5A PDF
• Monflier Richard ¹, Isoird Karine ¹, Cazarre Alain ¹, Tasselli Josiane ¹, Servel Alexandra ², Achard Jocelyn ³, Eon David⁴, Valdivia Birnbaum Maria José¹.
  "Diodes Schottky diamant fonctionnant à 200°C"
  1 - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes - LAAS (France), 2 - Ion Beam Services - IBS (France), 3 - Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux - LSPM (France), 4 - Institut Néel (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SP-1B PDF
• Nguyen Van-Sang ¹, Le Thanh-Long ¹, Sarrafin-Ardebili Farshid ¹, Colin Davy ¹, To Ngoc-Duc ¹, Rouger Nicolas¹, Lefranc Pierre ¹, Allard Bruno ², Lembeye Yves ¹, Arnould Jean-Daniel ³, Crebier Jean-Christophe ¹.
  "Contributions aux circuits de commande gate driver dédiés à la haute température et aux très fortes vitesses de commutation"
  1 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France), 3 - Laboratoire IMEP-LAHC (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SP-1B PDF
• Oustad Dounia ^1,2, Lefebvre Stéphane ¹, Petit Mickaël¹, Lhotellier Dominique², Ameziani Menouar².
  "Comparaison d'une modélisation des pertes par commutation d'IGBT basée sur la datasheet à une étude expérimentale"
  1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie - SATIE (France), 2 - Institut du Véhicule Décarboné et Communicant et de sa Mobilité - Vedecom (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-5A PDF
• Ren Zheng ¹, Wang Pangen², Schellmanns Ambroise ^1,2, Batut Nathalie ^1,2, Buvat Yoann³.
  "Gummel-Poon modeling of a New Super-Gain BJT and an innovative 600V AC switch"
  1 - Groupe de Recherche en Matériaux, Microélectronique, Acoustique et Nanotechnologies - GREMAN (France), 2 - Polytech'Tours (France), 3 - STMicroelectronics (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SP-1B PDF
• Rouger Nicolas¹, Maréchal Aurélien ^1,2, Chicot Gauthier ¹, Perez Gaetan ¹, Pham Thanh-Toan ^1,2, Lefranc Pierre ¹, Jeannin Pierre-Olivier ¹, Avenas Yvan¹, Eon David², Pernot Julien ², Gheeraert Etienne ².
  "Simulation numérique et caractérisation de composants de puissance en diamant"
  1 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 2 - Institut Néel (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SP-1B PDF
• Ruffelli Roberta ², Berkani Mounira ¹, Rostaing Gilles ¹, Legros Marc ², Lefebvre Stéphane ¹, Dupuy Philippe ³.
  "Analyse électrique de la métallisation de puce d'un MOSFET par mesure de potentiel de source"
  1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie - SATIE (France), 2 - Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales - CEMES CNRS (France), 3 - NXP France SAS (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-2A PDF
• Wei Lumei ¹, Locatelli Marie-Laure¹, Vergne Bertrand², Bidan Pierre¹, Dinculescu Sorin¹, Diaham Sombel¹, Grosset Gregory³, Dupuy Lionel³, Tournier Dominique⁴.
  "Mécanismes de claquage de diodes bipolaires en SiC - Impact du milieu isolant en surface"
  1 - Laboratoire Plasma et Conversion d'Energie - LAPLACE (France), 2 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis - ISL (France), 3 - Ion Beam Services - IBS (France), 4 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-2A PDF
• Yahyaoui Rabeb ^1,2,3, De Bernardinis Alexandre ^1,3, Gaillard Arnaud^2,3, Hissel Daniel ^2,3.
  "Tolérance aux défauts de type court-circuit d'interrupteurs de puissance en SiC utilisés dans un convertisseur DC/DC entrelacé"
  1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie - SATIE (France), 2 - FEMTO-ST Institute (France), 3 - FCLAB (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SP-1B PDF