Characterization and modeling of 1200V - 100A N - channel 4H-SiC MOSFET

Auteurs : Dang Dinh-Lam ¹, Guichard Sophie ¹, Urbain Matthieu ¹, Raël Stéphane ¹

Affiliations : 1 - Groupe de Recherche en Electrotechnique et Electronique de Nancy - GREEN (France)

Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance
Session : SP-1B "Composants semi-conducteurs de puissance"