Design and optimization of IGBT gate drivers for high insulation voltage up to 30kV

Auteurs : Am Sokchea ¹, Lefranc Pierre ¹, Frey David¹, Hanna Rachelle ¹

Affiliations : 1 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France)

Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance
Session : SP-1B "Composants semi-conducteurs de puissance"