Mesure de résistance dynamique de HEMT en GaN à l'échelle de la centaine de nanosecondes

Auteurs : Marcault Emmanuel ^1,2, Tremouilles David², Toulon Gaetan ^1,2, Isoird Karine ², Morancho Frédéric ², Gavelle Mathieu ¹

Affiliations : 1 - CEA Tech Midi-Pyrénées (France), 2 - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes - LAAS (France)

Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance
Session : SO-5A "Composants semi-conducteurs de puissance"