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Modèle analytique d'estimation des pertes dans une cellule de commutation MOSFET-diode Schottky SiC en vue de la conception et de l'optimisation d'un dissipateur thermique
Auteurs :
Affiliations : 1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie - SATIE (France), 2 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 3 - Laboratoire AMPERE (France)
Thématique :
Composants semi-conducteurs de puissance
Session :
SP-1B "Composants semi-conducteurs de puissance"
