Session "Composants semi-conducteurs de puissance" (SP-1B)

mardi 07 juin 2016, 14h30 — 16h00, Salle des forums
session poster

Président(e)s : Edith CLAVEL (G2ELab - Grenoble), Pierre LEFRANC (G2Elab - Grenoble)

9 articles dans cette session :

• Am Sokchea ¹, Lefranc Pierre ¹, Frey David¹, Hanna Rachelle ¹.
  "Design and optimization of IGBT gate drivers for high insulation voltage up to 30kV"
  1 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France)
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• Choucoutou Beverley ^1,2, Phung Luong Viet ², Brosselard Pierre³, Mermet-Guyennet Michel ¹, Planson Dominique ².
  "Étude en simulation et conception d'un transistor bipolaire (BJT) 10 kV en 4H-SiC"
  1 - ITE Supergrid Institute (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France), 3 - CALY Technologies (France)
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• Dadanema Gnimdu ¹, Costa François¹, Schanen Jean-Luc², Vollaire Christian³, Avenas Yvan².
  "Modèle analytique d'estimation des pertes dans une cellule de commutation MOSFET-diode Schottky SiC en vue de la conception et de l'optimisation d'un dissipateur thermique"
  1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie - SATIE (France), 2 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 3 - Laboratoire AMPERE (France)
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• Dang Dinh-Lam ¹, Guichard Sophie ¹, Urbain Matthieu ¹, Raël Stéphane ¹.
  "Characterization and modeling of 1200V - 100A N - channel 4H-SiC MOSFET"
  1 - Groupe de Recherche en Electrotechnique et Electronique de Nancy - GREEN (France)
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• Monflier Richard ¹, Isoird Karine ¹, Cazarre Alain ¹, Tasselli Josiane ¹, Servel Alexandra ², Achard Jocelyn ³, Eon David⁴, Valdivia Birnbaum Maria José¹.
  "Diodes Schottky diamant fonctionnant à 200°C"
  1 - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes - LAAS (France), 2 - Ion Beam Services - IBS (France), 3 - Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux - LSPM (France), 4 - Institut Néel (France)
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• Nguyen Van-Sang ¹, Le Thanh-Long ¹, Sarrafin-Ardebili Farshid ¹, Colin Davy ¹, To Ngoc-Duc ¹, Rouger Nicolas¹, Lefranc Pierre ¹, Allard Bruno ², Lembeye Yves ¹, Arnould Jean-Daniel ³, Crebier Jean-Christophe ¹.
  "Contributions aux circuits de commande gate driver dédiés à la haute température et aux très fortes vitesses de commutation"
  1 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France), 3 - Laboratoire IMEP-LAHC (France)
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• Ren Zheng ¹, Wang Pangen², Schellmanns Ambroise ^1,2, Batut Nathalie ^1,2, Buvat Yoann³.
  "Gummel-Poon modeling of a New Super-Gain BJT and an innovative 600V AC switch"
  1 - Groupe de Recherche en Matériaux, Microélectronique, Acoustique et Nanotechnologies - GREMAN (France), 2 - Polytech'Tours (France), 3 - STMicroelectronics (France)
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• Rouger Nicolas¹, Maréchal Aurélien ^1,2, Chicot Gauthier ¹, Perez Gaetan ¹, Pham Thanh-Toan ^1,2, Lefranc Pierre ¹, Jeannin Pierre-Olivier ¹, Avenas Yvan¹, Eon David², Pernot Julien ², Gheeraert Etienne ².
  "Simulation numérique et caractérisation de composants de puissance en diamant"
  1 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 2 - Institut Néel (France)
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• Yahyaoui Rabeb ^1,2,3, De Bernardinis Alexandre ^1,3, Gaillard Arnaud^2,3, Hissel Daniel ^2,3.
  "Tolérance aux défauts de type court-circuit d'interrupteurs de puissance en SiC utilisés dans un convertisseur DC/DC entrelacé"
  1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie - SATIE (France), 2 - FEMTO-ST Institute (France), 3 - FCLAB (France)
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