Session "Composants semi-conducteurs de puissance" (SO-5A)

jeudi 09 juin 2016, 11h30 — 12h45, Amphi Ampère
session orale

Président(e)s : Nathalie BATUT (GREMAN - Tours), Dominique TOURNIER (AMPERE - Lyon)

3 articles dans cette session :

• Oustad Dounia ^1,2, Lefebvre Stéphane ¹, Petit Mickaël¹, Lhotellier Dominique², Ameziani Menouar².
  "Comparaison d'une modélisation des pertes par commutation d'IGBT basée sur la datasheet à une étude expérimentale"
  1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie - SATIE (France), 2 - Institut du Véhicule Décarboné et Communicant et de sa Mobilité - Vedecom (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-5A PDF
• Aviño Salvado Oriol ¹, Cheng Chen ^1,2, Buttay Cyril ¹, Morel Hervé ¹, Labrousse Denis ², Lefebvre Stéphane ², Ali Marwan³.
  "Analyse de la robustesse des MOSFET SiC pour les applications "Diode-less""
  1 - Laboratoire AMPERE (France), 2 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie - SATIE (France), 3 - Safran-Tech (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-5A PDF
• Marcault Emmanuel ^1,2, Tremouilles David², Toulon Gaetan ^1,2, Isoird Karine ², Morancho Frédéric ², Gavelle Mathieu ¹.
  "Mesure de résistance dynamique de HEMT en GaN à l'échelle de la centaine de nanosecondes"
  1 - CEA Tech Midi-Pyrénées (France), 2 - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes - LAAS (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-5A PDF