Session "Composants semi-conducteurs de puissance" (SO-2A)
mercredi 08 juin 2016,
08h30 — 10h35,
Amphi Ampère
session orale
Président(e)s : Hervé MOREL (AMPERE - Lyon), Miao-Xin WANG (Schneider Electric - Grenoble)
4 articles dans cette session :
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"FilSiC - De l'épitaxie au module de puissance"
1 - CIRTEM (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France), 3 - CALY Technologies (France), 4 - Ion Beam Services - IBS (France)
Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance, Session : SO-2A PDF -
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"Mécanismes de claquage de diodes bipolaires en SiC - Impact du milieu isolant en surface"
1 - Laboratoire Plasma et Conversion d'Energie - LAPLACE (France), 2 - Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis - ISL (France), 3 - Ion Beam Services - IBS (France), 4 - Laboratoire AMPERE (France)
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"La diode Schottky en diamant : le présent et le futur"
1 - Institut Néel (France), 2 - Advanced Power Electronics Research Center - AIST, Tsukuba (Japon), 3 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France)
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"Analyse électrique de la métallisation de puce d'un MOSFET par mesure de potentiel de source"
1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie - SATIE (France), 2 - Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales - CEMES CNRS (France), 3 - NXP France SAS (France)
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