Analyse de la robustesse des MOSFET SiC pour les applications "Diode-less"

Auteurs : Aviño Salvado Oriol ¹, Cheng Chen ^1,2, Buttay Cyril ¹, Morel Hervé ¹, Labrousse Denis ², Lefebvre Stéphane ², Ali Marwan³

Affiliations : 1 - Laboratoire AMPERE (France), 2 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie - SATIE (France), 3 - Safran-Tech (France)

Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance
Session : SO-5A "Composants semi-conducteurs de puissance"