Étude en simulation et conception d'un transistor bipolaire (BJT) 10 kV en 4H-SiC

Auteurs : Choucoutou Beverley ^1,2, Phung Luong Viet ², Brosselard Pierre³, Mermet-Guyennet Michel ¹, Planson Dominique ²

Affiliations : 1 - ITE Supergrid Institute (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France), 3 - CALY Technologies (France)

Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance
Session : SP-1B "Composants semi-conducteurs de puissance"