La diode Schottky en diamant : le présent et le futur

Auteurs : Eon David¹, Pernot Julien ¹, Traoré Aboulaye ², Gheeraert Etienne ¹, Rouger Nicolas³

Affiliations : 1 - Institut Néel (France), 2 - Advanced Power Electronics Research Center - AIST, Tsukuba (Japon), 3 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France)

Thématique : Composants semi-conducteurs de puissance
Session : SO-2A "Composants semi-conducteurs de puissance"