Thématique "Composants semi-conducteurs"

17 articles dans cette thématique :

• Abi Tannous Tony¹, Soueidan Maher¹, Ferro Gabriel², Toury-Pierre Berangere², Lazar Mihai¹, Barbot Jean François³, Penuelas Jose⁴, Planson Dominique¹.
  "Nouveaux contacts électriques sur SiC-4H de type p : réalisation de phases MAX"
  1 - Laboratoire AMPERE (France), 2 - Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces (France), 3 - Institut P' CNRS - Université de Poitiers - ENSMA UPR 3346 SP2MI (France), 4 - Institut des nanotechnologies de Lyon - Site d'Ecully (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SP-J3-A PDF
• Am Sokchea¹, Lefranc Pierre¹, Frey David¹.
  "Optimisation d'une fonction de transmission d'ordres pour driver à très haute isolation galvanique. Application aux modules IGBT pour onduleurs multi-niveaux MMC (Multilevel Modular Converters)."
  1 - Laboratoire G2ELab (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SP-J3-A PDF
• Arbess Houssam¹, Isoird Karine¹, Planson Dominique², Phung Luong Viet².
  "Optimisation de la terminaison d'une diode Schottky diamant haute tension"
  1 - Laboratoire LAAS (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SP-J3-A PDF
• Asllani Besar¹, Niu Shiqin¹, Denis Patrick¹, Berthou Maxime¹, Tournier Dominique¹, Brosselard Pierre¹.
  "Modélisation phénoménologique de la caractéristique IV en direct de diodes Schottky/JBS en carbure de silicium"
  1 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SP-J3-A PDF
• Brommer Volker¹, Liebfried Oliver¹, Scharnholz Sigo¹.
  "Chargeur de condensateurs de forte puissance utilisant des IGCT dans un convertisseur Boost"
  1 - Institut Franco-Allemand de recherches de Saint-Louis (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SP-J3-A PDF
• Chen Cheng¹, Labrousse Denis¹, Lefebvre Stéphane¹, Buttay Cyril², Morel Hervé².
  "Estimation des pertes dans les transistors bipolaires SiC"
  1 - Laboratoire SATIE (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SP-J3-A PDF
• Gerlaud Antoine¹.
  "Simulation multiphysique pour la conception busbars laminés"
  1 - Laboratoire LAPLACE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SP-J3-A PDF
• Hamad Hassan¹, Bevilacqua Pascal¹, Planson Dominique¹, Raynaud Christophe¹, Tournier Dominique¹, Vergne Bertrand², Lazar Mihai¹, Brosselard Pierre¹.
  "Imagerie 2D du champ électrique dans les diodes SiC-4H haute tension par la technique OBIC"
  1 - Laboratoire AMPERE (France), 2 - Institut Franco-Allemand de recherches de Saint-Louis (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SO-J3-A PDF
• Hamady Saleem^1,2, Morancho Frederic², Beydoun Bilal¹, Austin Patrick², Gavelle Mathieu³.
  "Un interrupteur GaN HEMT normally-off grâce à des ions fluor implantés sous l'interface AlGaN/GaN"
  1 - Université Libanaise (UL-GET/LPE) (Liban), 2 - Laboratoire LAAS (France), 3 - CEA Tech Midi-Pyrénées (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SO-J3-A PDF
• Lale Adem¹, Bourennane Abdelhakim¹, El Khadiry Abdelilah¹, Richardeau Frédéric².
  "Simulation d'une structure générique RC-IGBT sans "tension de retournement" adaptée à l'intégration monolithique de cellules de commutation sur puce Si"
  1 - Laboratoire LAAS (France), 2 - Laboratoire LAPLACE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SO-J3-A PDF
• Li Ke¹, Videt Arnaud¹, Idir Nadir¹.
  "Caractérisation des capacités inter-électrodes d'un SiC-JFET " Normally-off " en régime désaturé"
  1 - Laboratoire L2EP (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SP-J3-A PDF
• Noblecourt Sylvain¹, Tasselli Josiane¹, Morancho Frederic¹.
  "Optimisation de la diode à Superjonction et à tranchées profondes pour des applications à 600V"
  1 - Laboratoire LAAS (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SO-J3-A PDF
• Ouaida Remy^1,2, Berthou Maxime², Brosselard Pierre², Oge Sebastien¹, Bevilacqua Pascal², Joubert Charles².
  "Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium. Potentiel d'utilisation dans les Applications Hautes Températures"
  1 - THALES Microelectronics (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SO-J3-A PDF
• Rizk Hiba^1,2, Tahir Hakim^3,2, Bourennane Abdelhakim^1,2, Laur Jean-Pierre^1,2, Breil Marie^3,2, Morillon Benjamin⁴, Menard Samuel⁴, Collard Emmanuel⁴.
  "Structure bipolaire bidirectionnelle en courant et en tension sur silicium (BipAC)"
  1 - Université Paul Sabatier-Toulouse III (France), 2 - Laboratoire LAAS (France), 3 - Université de Toulouse (France), 4 - STMicroelectronics (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SP-J3-A PDF
• Scharnholz Sigo¹, Phung Luong Viêt², Tournier Dominique², Vergne Bertrand¹, Hassdorf Ralf¹, Brosselard Pierre², Planson Dominique².
  "Conception de thyristors SiC permettant l'étude de l'amplification interne de l'allumage"
  1 - Institut Franco-Allemand de recherches de Saint-Louis (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SP-J3-A PDF
• Viale Benjamin^1,2, Allard Bruno², Galy Philippe¹, Fer Mathieu¹.
  "Automatisation de la vérification du réseau ESD sur silicium : un enjeu majeur pour les circuits intégrés en technologies CMOS avancées"
  1 - STMicroelectronics (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SO-J3-A PDF
• Zerarka Moustafa¹, Austin Patrick¹, Morancho Frédéric¹, Isoird Karine¹, Tasselli Josiane¹, Phulpin Tangay¹.
  "Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de « Single-Event Burnout »"
  1 - Laboratoire LAAS (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SP-J3-A PDF