Session "Composants semi-conducteurs" (SP-J3-A)

jeudi 10 juillet 2014, 09h30 — 10h30, Hall Villon
session poster

Président(e)s : Pierre BROSSELARD (AMPERE, Lyon), Zoubir KHATIR (IFSTTAR-LTN, Satory), Nicolas ROUGER (G2ELab, Grenoble)

11 articles dans cette session :

• Abi Tannous Tony¹, Soueidan Maher¹, Ferro Gabriel², Toury-Pierre Berangere², Lazar Mihai¹, Barbot Jean François³, Penuelas Jose⁴, Planson Dominique¹.
  "Nouveaux contacts électriques sur SiC-4H de type p : réalisation de phases MAX"
  1 - Laboratoire AMPERE (France), 2 - Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces (France), 3 - Institut P' CNRS - Université de Poitiers - ENSMA UPR 3346 SP2MI (France), 4 - Institut des nanotechnologies de Lyon - Site d'Ecully (France)
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• Am Sokchea¹, Lefranc Pierre¹, Frey David¹.
  "Optimisation d'une fonction de transmission d'ordres pour driver à très haute isolation galvanique. Application aux modules IGBT pour onduleurs multi-niveaux MMC (Multilevel Modular Converters)."
  1 - Laboratoire G2ELab (France)
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• Arbess Houssam¹, Isoird Karine¹, Planson Dominique², Phung Luong Viet².
  "Optimisation de la terminaison d'une diode Schottky diamant haute tension"
  1 - Laboratoire LAAS (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France)
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• Asllani Besar¹, Niu Shiqin¹, Denis Patrick¹, Berthou Maxime¹, Tournier Dominique¹, Brosselard Pierre¹.
  "Modélisation phénoménologique de la caractéristique IV en direct de diodes Schottky/JBS en carbure de silicium"
  1 - Laboratoire AMPERE (France)
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• Brommer Volker¹, Liebfried Oliver¹, Scharnholz Sigo¹.
  "Chargeur de condensateurs de forte puissance utilisant des IGCT dans un convertisseur Boost"
  1 - Institut Franco-Allemand de recherches de Saint-Louis (France)
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• Chen Cheng¹, Labrousse Denis¹, Lefebvre Stéphane¹, Buttay Cyril², Morel Hervé².
  "Estimation des pertes dans les transistors bipolaires SiC"
  1 - Laboratoire SATIE (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France)
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• Gerlaud Antoine¹.
  "Simulation multiphysique pour la conception busbars laminés"
  1 - Laboratoire LAPLACE (France)
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• Li Ke¹, Videt Arnaud¹, Idir Nadir¹.
  "Caractérisation des capacités inter-électrodes d'un SiC-JFET " Normally-off " en régime désaturé"
  1 - Laboratoire L2EP (France)
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• Rizk Hiba^1,2, Tahir Hakim^3,2, Bourennane Abdelhakim^1,2, Laur Jean-Pierre^1,2, Breil Marie^3,2, Morillon Benjamin⁴, Menard Samuel⁴, Collard Emmanuel⁴.
  "Structure bipolaire bidirectionnelle en courant et en tension sur silicium (BipAC)"
  1 - Université Paul Sabatier-Toulouse III (France), 2 - Laboratoire LAAS (France), 3 - Université de Toulouse (France), 4 - STMicroelectronics (France)
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• Scharnholz Sigo¹, Phung Luong Viêt², Tournier Dominique², Vergne Bertrand¹, Hassdorf Ralf¹, Brosselard Pierre², Planson Dominique².
  "Conception de thyristors SiC permettant l'étude de l'amplification interne de l'allumage"
  1 - Institut Franco-Allemand de recherches de Saint-Louis (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France)
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• Zerarka Moustafa¹, Austin Patrick¹, Morancho Frédéric¹, Isoird Karine¹, Tasselli Josiane¹, Phulpin Tangay¹.
  "Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de « Single-Event Burnout »"
  1 - Laboratoire LAAS (France)
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