Session "Composants semi-conducteurs" (SO-J3-A)

jeudi 10 juillet 2014, 11h00 — 13h00, Grand amphi Marie Curie
session orale

Président(e)s : Frédéric MORANCHO (LAAS, Toulouse), Dominique PLANSON (AMPERE, Lyon)

6 articles dans cette session :

• Ouaida Remy^1,2, Berthou Maxime², Brosselard Pierre², Oge Sebastien¹, Bevilacqua Pascal², Joubert Charles².
  "Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium. Potentiel d'utilisation dans les Applications Hautes Températures"
  1 - THALES Microelectronics (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SO-J3-A PDF
• Hamady Saleem^1,2, Morancho Frederic², Beydoun Bilal¹, Austin Patrick², Gavelle Mathieu³.
  "Un interrupteur GaN HEMT normally-off grâce à des ions fluor implantés sous l'interface AlGaN/GaN"
  1 - Université Libanaise (UL-GET/LPE) (Liban), 2 - Laboratoire LAAS (France), 3 - CEA Tech Midi-Pyrénées (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SO-J3-A PDF
• Hamad Hassan¹, Bevilacqua Pascal¹, Planson Dominique¹, Raynaud Christophe¹, Tournier Dominique¹, Vergne Bertrand², Lazar Mihai¹, Brosselard Pierre¹.
  "Imagerie 2D du champ électrique dans les diodes SiC-4H haute tension par la technique OBIC"
  1 - Laboratoire AMPERE (France), 2 - Institut Franco-Allemand de recherches de Saint-Louis (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SO-J3-A PDF
• Noblecourt Sylvain¹, Tasselli Josiane¹, Morancho Frederic¹.
  "Optimisation de la diode à Superjonction et à tranchées profondes pour des applications à 600V"
  1 - Laboratoire LAAS (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SO-J3-A PDF
• Lale Adem¹, Bourennane Abdelhakim¹, El Khadiry Abdelilah¹, Richardeau Frédéric².
  "Simulation d'une structure générique RC-IGBT sans "tension de retournement" adaptée à l'intégration monolithique de cellules de commutation sur puce Si"
  1 - Laboratoire LAAS (France), 2 - Laboratoire LAPLACE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SO-J3-A PDF
• Viale Benjamin^1,2, Allard Bruno², Galy Philippe¹, Fer Mathieu¹.
  "Automatisation de la vérification du réseau ESD sur silicium : un enjeu majeur pour les circuits intégrés en technologies CMOS avancées"
  1 - STMicroelectronics (France), 2 - Laboratoire AMPERE (France)
  Thématique : Composants semi-conducteurs, Session : SO-J3-A PDF