Résumé

Cet article présente la conception d'un thyristor SiC et les résultats de simulation par éléments finis. Ce travail vise à étudier expérimentalement le comportement dynamique d'un thyristor SiC avec gâchette amplificatrice. Ce type de thyristor n'a pas été étudié pour l'instant en détail pour le SiC. Pourtant, avec l'amélioration constante de la qualité des wafers de SiC et des diamètres de substrat accessibles, l'intégration d'un système de commande avec une amplification interne de l'allumage devient un concept essentiel pour les thyristors de puissance à base de SiC.