Session "Composants de l’électronique de puissance" (SO1C)
5 articles dans cette session :
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"Evaluation précise de la température de jonction des transistors SiC en dynamique pour l'estimation de la durée de vie des modules de puissance utilisés dans les onduleurs triphasés" PDF -
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"Application de Matériaux Composites à Gradient de Permittivité pour l'Encapsulation de Composants de Puissance Intégrés dans un environnement PCB" PDF -
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"Méthode de préconditionnement du HEMT GaN pour une mesure reproductible de Vth" PDF -
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"Transistors en diamant à effet de champ pour l'électronique de puissance : comparaison de grilles (JFET) et amélioration de la tenue en tension (MOSFET)" PDF -
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"Courts-circuits répétitifs non-destructifs sur des transistors HEMT-GaN 650 V" PDF