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Méthodologie d'extraction des éléments parasites d'un module de puissance SiC basée sur mesures N-port
Auteurs :
Affiliations : 1 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique ( France), 2 - Safran Tech ( France)
Thématique :
Intégration de puissance, assemblage et packaging
Session :
SP1 "Session Poster 1"
Résumé
Ce papier présente une méthodologie N-port basée sur des mesures pour extraire les parasites RL présents dans la maille de commutation de modules de puissance (DUT) à base de SiC. Le modèle, de type soit boîte noire ou grise, s'appuie sur des mesures en paramètres S pour un nombre donné de ports accessibles (N). L'approche proposée permet de construire un modèle représentant le comportement du module de puissance aussi fidèlement que possible à sa réalité physique. Les incertitudes de mesure sont gérées par une régression optimisée via la méthode de Gauss-Newton-Raphson (GNR). Des résultats expérimentaux et une analyse comparative intégrant les parasites RL dans un module SiC, à partir de mesures, des simulations et du modèle Nport, est introduite sous forme d'un tableau et valident l'approche