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Étude de la fiabilité des GaN SP-HEMT sous surtensions en commutation dure
Auteurs :
Affiliations : 1 - Ampère, Département Energie Electrique ( France), 2 - IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique ( France), 3 - Laboratoire Ampere ( France), 4 - Vitesco Technologies ( France)
Thématique :
Sûreté de fonctionnement : fiabilité, vieillissement, diagnostic et systèmes tolérants
Session :
SP1 "Session Poster 1"
Résumé
Les transistors GaN HEMT, réputés pour leurs per-formances en électronique de puissance, soulèvent des questionsde fiabilité, et notamment face aux surtensions dynamiques. Nousintroduisons un nouveau circuit de test, basé sur l'UIS (UnclampedInductive Switching), conçu pour isoler les effets des surtensionsdynamiques et du stress à l'état off. Les résultats préliminairesmontrent que notre nouveau circuit permet d'atteindre dessurtensions jusqu'à 1,45 kV (pour des composants 650 V), et descourants de 40 A. L'optimisation qu'apporte ce circuit permetd'avoir un échauffement minimal lors de tests répétitifs, et ainsipermettra de découpler l'impact lié à l'élévation de la températurepour se concentrer uniquement sur l'impact des surtensions.