Résumé

Cet article concerne la fiabilité de MOSFET en carbure de silicium (SiC), s'intéressant notamment à leur tenue en tension. La problématique de la mise en parallèle de composants de puissance est présentée, ainsi que différentes méthodes d'études de l'avalanche de MOSFET dans la littérature. Le banc de test réalisé au laboratoire Ampère, qui permet de passer de tests de commutation normale à tests d'avalanche, est détaillé, ainsi que les premières formes d'ondes obtenues pour deux composants en parallèle. La casse de composants en avalanche est également évoquée. Enfin, un nouveau circuit d'étude de l'avalanche de composants en parallèle, le SCIO, est présenté.