Système de gestion adaptative du temps-mort intégré au gate-driver CMOS pour MOSFET SiC

Auteurs : Masson matthieu ^1,2,3, Cousineau marc ^1,3, Rouger nicolas ⁴, Calmes pierre ^2,3, Richardeau frédéric ^3,4, Bacchi matthew ^2,3

Affiliations : 1 - Laboratoire Plasma et Conversion d'Énergie ( France), 2 - NXP semiconductors (Toulouse France), 3 - LabCom SEMA ( France), 4 - Laboratoire Plasma et Conversion d'Énergie ( France)

Thématique : Intégration de puissance, assemblage et packaging
Session : SP1 "Session Poster 1"