Session "Intégration de puissance et composants de l’électronique de puissance" (SO4C)

5 articles dans cette session :

• Beley Matthieu, Pace Loris, Bréard Arnaud, El Khattaby Mohamed.
  "Caractérisation de deux gate drivers pour la commande de HEMT-GaN aux fréquences VHF" PDF
• Daniel Rouly, Josiane Tasselli, Patrick Austin, Yvon Cordier, Aimeric Courvil, François Vaurette, Aurélie Lecestre, Benjamin Reig, Karine Isoird, Frédéric Morancho.
  "Epitaxie localisée de P-GaN par EJM pour la fabrication de HEMTs AlGaN/GaN normally-off" PDF
• El Boubkari Anas, Masson Matthieu, Rouger Nicolas, Cousineau Marc, Richardeau Frédéric, Bacchi Matthew, Sicard Thierry, Blaquiere Jean-Marc, Laborde Alexandre, Vinnac Sébastien, Flumian Didier, Calmes Pierre.
  "Contrôle rapproché rapide, précis et intégré sur gate-driver CMOS, pour la commutation optimale et la protection interne des onduleurs à base de module SiC MOSFET" PDF
• Laspeyres Antoine, Descamps Anne-Sophie, Batard Christophe, Ginot Nicolas.
  "Système de mesure de la tension Drain-Source à l'état passant: application aux modules SiC forte tension" PDF
• Leveque Jean, Laïb Yanis, Berger Kevin, Rael Stéphane.
  "Caractérisation statique d'un Si MOSFET de puissance à température cryogénique" PDF