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Perturbations électromagnétiques conduites d'un bras d'onduleur à base de transistors en Nitrure de Galium: Structure « 3D » pour composants horizontaux
Auteurs :
Affiliations : 1 - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble - G2Elab (France), 2 - Thales Systèmes Aéroportés (France)
Thématique :
Intégration de puissance - assemblage packaging
Session :
SP-3D "Intégration de puissance - assemblage packaging"
